收藏本站
NP55N055SDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
18
16
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 28 A
Pulsed
1000
100
C iss
C oss
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
10
100
10
V DD = 28 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
t d(off)
t d(on)
t r
t f
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V DD = 44 V
28 V
11 V
V DS
V GS
I D = 55 A
8
6
4
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
V GS = 10 V
10
1
4.5 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0
0.2 0.4 0.6
0.8
1
1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16864EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP55N055SUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
NP60N03KUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
NP60N03SUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
NP60N04KUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
NP60N04MUG-S18-AY MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
NP60N055KUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
NP70N04MUG-S18-AY MOSFET N-CH 40V 70A TO-220
NP70N10KUF-E1-AY MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
相关代理商/技术参数
NP55N055SDG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 55A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
NP55N055SUG-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP55N055SUG-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP55N055SUG-E1-AY/K 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP55N06CLD 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB
NP55N06DLD 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-262AA
NP55N06ELD 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
NP5-6 制造商:EnerSys 功能描述:LEAD ACID BATTERY, 6V, 5.6AH; Battery Size Code:-; Battery Capacity:5Ah; Battery Voltage:6V; Battery Technology:Lead Acid; External Height:107mm; External Width:47mm; External Depth:70mm; Weight:930g; Battery Terminals:Solder Tab ;RoHS Compliant: NA